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Homoepitaxial growth of (100) Si-doped β-Ga₂O₃ films via MOCVD using TMGa: effects of growth temperature and oxygen flow rate

已完结 10 由 用户IOd8ou 发布于 2026-09-17 21:06
作者: Paiwen Fang、Yiming Zhang、Shengliang Cheng、Tiecheng Luo、Wenyong Feng、Yanli Pei 等
文献类型: 期刊论文
补充材料: 只需要正文
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2026-09-17
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