Homoepitaxial growth of (100) Si-doped β-Ga₂O₃ films via MOCVD using TMGa: effects of growth temperature and oxygen flow rate
已完结
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由 用户IOd8ou 发布于 2026-09-17 21:06
作者:
Paiwen Fang、Yiming Zhang、Shengliang Cheng、Tiecheng Luo、Wenyong Feng、Yanli Pei 等
文献类型:
期刊论文
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